Notícias

Banca de DEFESA: ALESSANDRE SAMPAIO DA SILVA

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: ALESSANDRE SAMPAIO DA SILVA
DATA: 14/09/2021
HORA: 09:30
LOCAL: GOOGLE MEET
TÍTULO:

TRANSPORTE ELETRÔNICO EM ALÓTROPOS DE CARBONO DOPADOS


PALAVRAS-CHAVES:

Transporte eletrônico. Phagrafeno. Transistor de efeito campo. Resistência diferencial negativa. Molecular Positive Electronic Transition


PÁGINAS: 115
GRANDE ÁREA: Engenharias
ÁREA: Engenharia Elétrica
RESUMO:

Neste trabalho é apresentada a investigação teórica do transporte eletrônico de uma série de dispositivos de dois terminais baseados em nanofitas de Phagrafeno dopadas. Os dispositivos foram separados em duas famílias de fitas, cuja localização da dopagem substitucional determina o grupo, podendo ser em um sítio central na região espalhadora com -BN ou nas terminações de borda zigzag com -N. Os cálculos foram baseados na metodologia híbrida DFT-NEGF implementada no pacote TRANSIESTA. Nossos resultados para família 1 mostraram que o dispositivo com bordas zigzag (PHAGBNZZ) sofre a transição metal-semicondutor operando em duas janelas de tensão com uma assinatura de um transistor de efeito campo (FET). No dispositivo armchair (PHAGBNARM) ocorre a transição semicondutor-metal, operando como um chaveador para baixas tensões e como FET para tensões a partir de 0,2 V. Por outro lado, a espectroscopia eletrônica de tunelamento inelástico (IETS) revelou que os dispositivos da família 1 sofrem pouca influência dos canais inelásticos no transporte, sendo o tunelamento majoritariamente elástico. Para a família 2, o dispositivo de menor largura (PHAGNZZ1) mostra um comportamento metálico, sofrendo a transição metal-semicondutor com o aumento da tensão, operando como um dispositivo FET. O dispositivo de maior largura (PHAGNZZ2) apresenta o comportamento de um isolante topológico (TI), operando em duas janelas de tensão, como FET para baixas tensões, mostrando transição TI-semicondutor, e diodo túnel ressonante (RTD) para tensões entre 0,2 e 0,45 V, evidenciado pela resistência diferencial negativa (NDR). Analisando toda a janela de tensão, a curva I-V do dispositivo PHAGNZZ2 exibe uma assinatura similar à de um dispositivo limitador de corrente que chamamos de Molecular Positive Electronic Transition (MPET).


MEMBROS DA BANCA:
Externo ao Programa - 3445961 - CARLOS ALBERTO BRITO DA SILVA JUNIOR
Interno - 325740 - GERVASIO PROTASIO DOS SANTOS CAVALCANTE
Presidente - 2361801 - JORDAN DEL NERO
Externo ao Programa - 1227787 - SHIRSLEY JOANY DOS SANTOS DA SILVA
Notícia cadastrada em: 23/08/2021 08:57
SIGAA | Centro de Tecnologia da Informação e Comunicação (CTIC) - | Copyright © 2006-2022 - UFPA - jatoba.ufpa.br.jatoba2