TRANSPORTE ELETRÔNICO EM SISTEMAS 1D COM ACOPLAMENTO DE ELETRODOS DE NÍQUEL DE TAMANHO ATÔMICO E FIOS DE CARBONO
ELETRÔNICA MOLECULAR; TRANSPORTE ELETRÔNICO MOLECULAR; DISPOSITIVOS MOLECULARES
Os limites de miniaturização previstos para componentes eletrônicos a base de silício tem mobilizado pesquisas por materiais alternativos, assim estruturas baseadas em carbono, devido a versatilidade, têm ganhado maior destaque. Dentre os componentes, fios atômicos baseados em carbono são vistos como materiais promissores, devido as promessas de performance e propriedades eletrônicas, térmicas e magnéticas. Neste contexto, este trabalho investigou o transporte eletrônico utilizando métodos ab initio/ Método de Função de Green de Não-Equilíbrio em uma junção unidimensional (1D) de diâmetro atômico baseados em cadeias de carbono Cn (n de 1 a 10) entre eletrodos semi-infinitos de Ni. Encontrando então uma distinção entre a paridade ao longo do fio de carbono, estruturas tipo cumuleno e polyynes formam-se em cadeias ímpares (C2n+1) e pares (C2n) de carbono, respectivamente. Foram constatados (i) que a condutância máxima ocorre em uma tensão específica (0,20 V) para ambas paridades; (ii) a condutância para cadeias de polyynes decaem (de 151 μS para 125 μS), enquanto as cadeias de cumuleno aumentam (de 58 μS para 68 μS); (iii) a transmitância para C2n ≈ 2 × C2n+1, provocando altas correntes em C2n ; (iv) a queda da condutância em ambas as cadeias são vistas na falha na transmitância (|0,25 V|); (v) a resistência diferencial negativa (NDR) é mostrada para C2n (2 até 4) em |0,35 V| e em C10 a |0,40 V| devido a degenerescência nos níveis de LUMO’s, enquanto C2n+1 exibe ressonância em |0,30 V|; (vi) as estruturas apresentam comportamento de dispositivos tipo RTD (Diodo Túnel Ressonante) e FET (Transistor de Efeito de Campo) para C2n e C2n+1 , respectivamente.